SI1426DH-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI1426DH-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.6A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI1426 |
SI1426DH-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI1426DH-T1-E3 PDF - EN.pdf |
VISHAY SOT363
MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
MOSFET N-CH 20V 4A/4A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI1426DH-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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